電(dian)源(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)濾波(bo)器(qi)的(de)(de)(de)作用是(shi)抑制電(dian)磁噪聲。電(dian)源(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)濾波(bo)器(qi)的(de)(de)(de)作用是(shi)通過(guo)在(zai)電(dian)源(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)系統中插(cha)入(ru)電(dian)源(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)濾波(bo)器(qi)來(lai)獲(huo)得特(te)(te)定頻率的(de)(de)(de)電(dian)源(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)信(xin)號或(huo)消除特(te)(te)定頻率的(de)(de)(de)電(dian)源(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)信(xin)號繩(sheng)索。入(ru)為(wei)了防止不必要(yao)的(de)(de)(de)損失，我們需要(yao)了解電(dian)源(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)濾波(bo)器(qi)使用時。為(wei)了使用它(ta)們，我們還需要(yao)知(zhi)道(dao)如何選擇電(dian)源(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)濾波(bo)器(qi)，如下(xia)所示：

1.額(e)定電壓

額(e)定電壓是電源(yuan)EMI濾(lv)波器(qi)(qi)用在指定電源(yuan)頻率時的(de)工作電壓，也是濾(lv)波器(qi)(qi)高允(yun)許(xu)的(de)電壓值。如用在50Hz單相電源(yuan)  的(de) 濾(lv)波器(qi)(qi)，額(e)定電壓為(wei)(wei)250V;用在50Hz三相電源(yuan)的(de)濾(lv)波器(qi)(qi)，額(e)定電壓為(wei)(wei)440V.若(ruo)輸入濾(lv)波器(qi)(qi)的(de)電壓過高，會使內(nei)部電容器(qi)(qi)損壞。

2.額定電流(liu)

額定(ding)電流（Ir）是在額定(ding)電壓和指定(ding)環境溫度(du)條件(jian)下所允許的連續工作(zuo)電流。

隨著環境(jing)溫度(du)的(de)升高，或由于電(dian)感(gan)導(dao)線(xian)的(de)銅損(sun)，磁芯損(sun)耗以(yi)及(ji)周(zhou)圍環境(jing)溫度(du)等原因導(dao)致工(gong)作(zuo)溫度(du)高于室溫，這時候就難以(yi)確保(bao)插(cha)入損(sun)耗的(de)性能。我們應該根據實際可(ke)能的(de)工(gong)作(zuo)電(dian)流和(he)工(gong)作(zuo)環境(jing)溫度(du)來選(xuan)擇濾波器(qi)的(de)額定電(dian)流。

除特殊(shu)說(shuo)明(ming)(ming)外(wai)，EMI濾(lv)波(bo)器說(shuo)明(ming)(ming)書給(gei)出(chu)的額(e)定(ding)電(dian)流均為室溫(wen)(wen)+25℃（標(biao)稱溫(wen)(wen)度(du)(du)）的值，同樣給(gei)定(ding)的典型插入損耗或曲線也均指(zhi)+25℃的值。大工(gong)作電(dian)流（Imax）、額(e)定(ding)電(dian)流與溫(wen)(wen)度(du)(du)之間(jian)的存(cun)在如下(xia)關(guan)(guan)系：字串(chuan)3   式1.0中：Imax為大工(gong)作電(dian)流，Ir為室溫(wen)(wen)下(xia)額(e)定(ding)工(gong)作電(dian)流，Tmax為高(gao)的工(gong)作溫(wen)(wen)度(du)(du)+85℃，Ta為實際工(gong)作溫(wen)(wen)度(du)(du)，Tr為室溫(wen)(wen)+25℃。根(gen)據(ju)式2.0,Imax/Ir與Ta的關(guan)(guan)系舉例說(shuo)明(ming)(ming)：+25℃，Imax=Ir;+45℃，Imax=0.816Ir;+85℃，Imax=0.   另(ling)外(wai)，在國外(wai)一些濾(lv)波(bo)器公(gong)司規(gui)定(ding)，+40℃（標(biao)稱溫(wen)(wen)度(du)(du)）為工(gong)作電(dian)流值Ir .

IEC氣候等(deng)級為25/085時，指定環(huan)境(jing)溫(wen)度(du)為+40℃（標稱溫(wen)度(du)）條件下，查取其他(ta)環(huan)境(jing)溫(wen)度(du)所允許的工作(zuo)電(dian)流(liu)曲線。

影響工作(zuo)電(dian)流和環境(jing)關(guan)系的(de)主要原因之一就是(shi)濾波(bo)(bo)(bo)器(qi)(qi)中(zhong)的(de)軟磁(ci)(ci)材料。EMI濾波(bo)(bo)(bo)器(qi)(qi)一般采(cai)用高磁(ci)(ci)導(dao)(dao)(dao)率(lv)軟磁(ci)(ci)材料錳鋅鐵氧體，初始磁(ci)(ci)導(dao)(dao)(dao)率(lv)μi=7000~10000,但其(qi)居里(li)點溫度(du)不高，僅為130℃左右。磁(ci)(ci)導(dao)(dao)(dao)率(lv)越(yue)(yue)高，居里(li)點溫度(du)越(yue)(yue)低，過(guo)居里(li)點后磁(ci)(ci)導(dao)(dao)(dao)率(lv)迅速下降(jiang)，從而導(dao)(dao)(dao)致濾波(bo)(bo)(bo)器(qi)(qi)中(zhong)的(de)電(dian)感(gan)值(zhi)下降(jiang)，嚴重影響濾波(bo)(bo)(bo)效果。  因此要根據工作(zuo)溫度(du)來(lai)正確(que)選擇電(dian)源濾波(bo)(bo)(bo)器(qi)(qi)的(de)額定(ding)電(dian)流，或(huo)者改善(shan)濾波(bo)(bo)(bo)器(qi)(qi)的(de)散熱(re)條件（工作(zuo)環境(jing)）來(lai)確(que)保(bao)濾波(bo)(bo)(bo)器(qi)(qi)的(de)安裝使用。

3.插入損耗

（1） 插(cha)入(ru)(ru)(ru)(ru)損(sun)耗定義(yi)  插(cha)入(ru)(ru)(ru)(ru)損(sun)耗是EMI電源濾(lv)(lv)(lv)波(bo)(bo)器(qi)重要的(de)(de)(de)技術參數(shu)之(zhi)一(yi)，設計人員和工程應(ying)用人員考慮的(de)(de)(de)中(zhong)(zhong)心問(wen)題就是：在(zai)保證濾(lv)(lv)(lv)波(bo)(bo)器(qi)安全(quan)、環境(jing)、機械(xie)和可(ke)靠性能(neng)滿足有關標(biao)準要求(qiu)的(de)(de)(de)前提(ti)下(xia)，實(shi)現盡可(ke)能(neng)高的(de)(de)(de)插(cha)入(ru)(ru)(ru)(ru)損(sun)耗。  濾(lv)(lv)(lv)波(bo)(bo)器(qi)的(de)(de)(de)插(cha)入(ru)(ru)(ru)(ru)損(sun)耗是頻(pin)率的(de)(de)(de)函數(shu)，用dB（分貝(bei)）表示。電路(lu)未接濾(lv)(lv)(lv)波(bo)(bo)器(qi)時(shi)，信號源在(zai)接受電路(lu)端電壓（功(gong)率）為(wei)U（ P），接入(ru)(ru)(ru)(ru)濾(lv)(lv)(lv)波(bo)(bo)器(qi)后在(zai)接受端輸入(ru)(ru)(ru)(ru)電壓（功(gong)率）為(wei)U（ P） ,定義(yi)插(cha)入(ru)(ru)(ru)(ru)功(gong)耗I.L（InsertionLoss）可(ke)以用下(xia)列方程推導出(chu)來(lai)：  假設實(shi)際負載(zai)阻抗在(zai)濾(lv)(lv)(lv)波(bo)(bo)器(qi)插(cha)入(ru)(ru)(ru)(ru)前后保持不(bu)變(bian)，故1.1式的(de)(de)(de)各功(gong)率可(ke)以由其相(xiang)應(ying)的(de)(de)(de)負載(zai)電壓和阻抗的(de)(de)(de)表達式來(lai)代替：方程中(zhong)(zhong)所(suo)表示的(de)(de)(de)插(cha)入(ru)(ru)(ru)(ru)損(sun)耗，需要在(zai)頻(pin)率下(xia)通過取下(xia)和插(cha)入(ru)(ru)(ru)(ru)濾(lv)(lv)(lv)波(bo)(bo)器(qi)來(lai)進行測量。

（2）共(gong)模(mo)損(sun)耗(hao)與差模(mo)損(sun)耗(hao)  EMI電源濾波器(qi)的(de)插(cha)入(ru)損(sun)耗(hao)包括共(gong)模(mo)（表示為(wei)(wei)CM）插(cha)入(ru)損(sun)耗(hao)和差模(mo)（表示為(wei)(wei)DM）插(cha)入(ru)損(sun)耗(hao)。關(guan)于它們的(de)具體測(ce)試方法，在CISPR第17號出版物(wu)中(zhong)有過說明，這里就不再說明。例如某個廠(chang)家(jia)生產(chan)的(de)DNF05-H-6AEMI濾波器(qi)，按有關(guan)標(biao)準測(ce)得的(de)插(cha)入(ru)損(sun)耗(hao)。

（3）影(ying)響(xiang)(xiang)插(cha)(cha)(cha)(cha)入損(sun)(sun)(sun)耗的(de)(de)(de)(de)(de)因素  影(ying)響(xiang)(xiang)電(dian)源EMI濾(lv)波器(qi)插(cha)(cha)(cha)(cha)入損(sun)(sun)(sun)耗的(de)(de)(de)(de)(de)因素包括阻(zu)抗搭(da)(da)配和安(an)裝(zhuang)。實(shi)際應用(yong)中， EMI濾(lv)波器(qi)輸入和輸出(chu)端的(de)(de)(de)(de)(de)阻(zu)抗已(yi)不是測得(de)圖(tu)2.3曲線(xian)時的(de)(de)(de)(de)(de)50Ω，所以它(ta)對干擾信號的(de)(de)(de)(de)(de)衰減，不會等于產品標準(zhun)或(huo)說明(ming)書(shu)中的(de)(de)(de)(de)(de)給出(chu)的(de)(de)(de)(de)(de)插(cha)(cha)(cha)(cha)入損(sun)(sun)(sun)耗。如(ru)果選(xuan)用(yong)EMI濾(lv)波器(qi)的(de)(de)(de)(de)(de)網(wang)絡結構和參數合理，加上安(an)裝(zhuang)得(de)當(dang)(dang)，則(ze)有可能實(shi)現優于標準(zhun)中的(de)(de)(de)(de)(de)規(gui)定的(de)(de)(de)(de)(de)插(cha)(cha)(cha)(cha)入損(sun)(sun)(sun)耗。反(fan)之，如(ru)果網(wang)絡搭(da)(da)配和參數的(de)(de)(de)(de)(de)選(xuan)擇不當(dang)(dang)，安(an)裝(zhuang)又有問題(ti)，則(ze)有可能得(de)不到好的(de)(de)(de)(de)(de)應用(yong)效果，反(fan)而會得(de)到相反(fan)的(de)(de)(de)(de)(de)效果，如(ru)圖(tu)2.5出(chu)現插(cha)(cha)(cha)(cha)入損(sun)(sun)(sun)耗增益。  另外一(yi)個影(ying)響(xiang)(xiang)因素，就是濾(lv)波器(qi)的(de)(de)(de)(de)(de)工(gong)作溫度(du)和額(e)定工(gong)作電(dian)流(liu)。EMI濾(lv)波器(qi)的(de)(de)(de)(de)(de)插(cha)(cha)(cha)(cha)入損(sun)(sun)(sun)耗測量標準(zhun)，CISPR第17號出(chu)版物(wu)，MIL-STD-220A和GB7343-87所規(gui)定的(de)(de)(de)(de)(de)測量方法中，都一(yi)致強調(diao)了要在加載額(e)定電(dian)流(liu)條件(jian)下(xia)進行它(ta)的(de)(de)(de)(de)(de)插(cha)(cha)(cha)(cha)入損(sun)(sun)(sun)耗的(de)(de)(de)(de)(de)測量。前文已(yi)介紹，這是因為濾(lv)波器(qi)中的(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)感L用(yong)了鐵(tie)氧體或(huo)其他(ta)磁性材料，大電(dian)流(liu)工(gong)作下(xia)，磁性飽和狀態(tai)引起性能變壞。如(ru)圖(tu)2.6是某有問題(ti)的(de)(de)(de)(de)(de)EMI濾(lv)波器(qi)測試情況，曲線(xian)①是正常50Ω系統(tong)下(xia)測試的(de)(de)(de)(de)(de)插(cha)(cha)(cha)(cha)入損(sun)(sun)(sun)耗曲線(xian)，曲線(xian)②是50Ω系統(tong)和30A額(e)定電(dian)流(liu)下(xia)測試的(de)(de)(de)(de)(de)插(cha)(cha)(cha)(cha)入損(sun)(sun)(sun)耗曲線(xian)，兩者(zhe)比較差(cha)別相當(dang)(dang)大。

4 .阻(zu)抗搭(da)配

（1）阻(zu)抗(kang)搭配的(de)(de)(de)(de)(de)(de)原因  選(xuan)擇(ze)濾(lv)(lv)波(bo)(bo)(bo)(bo)(bo)器(qi)(qi)時(shi)，首(shou)先應(ying)選(xuan)擇(ze)適合你所(suo)用(yong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)濾(lv)(lv)波(bo)(bo)(bo)(bo)(bo)電(dian)(dian)路(lu)和(he)插入損耗性(xing)能。首(shou)先選(xuan)擇(ze)濾(lv)(lv)波(bo)(bo)(bo)(bo)(bo)電(dian)(dian)路(lu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)原因是(shi)與濾(lv)(lv)波(bo)(bo)(bo)(bo)(bo)器(qi)(qi)要(yao)在匹(pi)配條(tiao)件下(xia)工作的(de)(de)(de)(de)(de)(de)傳統概念不(bu)同(tong)，所(suo)謂匹(pi)配意味(wei)濾(lv)(lv)波(bo)(bo)(bo)(bo)(bo)器(qi)(qi)需在保(bao)持輸入/輸出信號幅度不(bu)變(bian)（或(huo)某一固定比(bi)例）的(de)(de)(de)(de)(de)(de)前提下(xia)，將其中部分頻譜做(zuo)預期的(de)(de)(de)(de)(de)(de)處理(li)或(huo)變(bian)換，而EMI電(dian)(dian)源(yuan)濾(lv)(lv)波(bo)(bo)(bo)(bo)(bo)器(qi)(qi)不(bu)同(tong)，它是(shi)個以工頻為導通對象的(de)(de)(de)(de)(de)(de)低通濾(lv)(lv)波(bo)(bo)(bo)(bo)(bo)器(qi)(qi)，是(shi)在不(bu)匹(pi)配的(de)(de)(de)(de)(de)(de)條(tiao)件下(xia)工作，因為在實(shi)際應(ying)用(yong)中無(wu)法實(shi)現(xian)匹(pi)配，如濾(lv)(lv)波(bo)(bo)(bo)(bo)(bo)器(qi)(qi)輸入端(duan)阻(zu)抗(kang)RI--電(dian)(dian)網(wang)源(yuan)阻(zu)抗(kang)是(shi)隨(sui)著用(yong)電(dian)(dian)量的(de)(de)(de)(de)(de)(de)大(da)小(xiao)變(bian)化(hua)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)，濾(lv)(lv)波(bo)(bo)(bo)(bo)(bo)器(qi)(qi)輸出端(duan)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)阻(zu)抗(kang)Rl（負載阻(zu)抗(kang)）--電(dian)(dian)源(yuan)阻(zu)抗(kang)是(shi)隨(sui)著電(dian)(dian)源(yuan)負載的(de)(de)(de)(de)(de)(de)大(da)小(xiao)變(bian)化(hua)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)，要(yao)想(xiang)(xiang)獲得(de)理(li)想(xiang)(xiang)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)抑制效果，應(ying)遵循(xun)正確的(de)(de)(de)(de)(de)(de)阻(zu)抗(kang)搭配。  無(wu)論(lun)怎樣復雜的(de)(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)源(yuan)EMI濾(lv)(lv)波(bo)(bo)(bo)(bo)(bo)器(qi)(qi)，都可以把它的(de)(de)(de)(de)(de)(de)共模和(he)差(cha)模濾(lv)(lv)波(bo)(bo)(bo)(bo)(bo)網(wang)絡抽(chou)象出來。

（2）阻(zu)抗(kang)失配(pei)(pei)分析  可以分析出，一(yi)般在EMI電(dian)源(yuan)濾(lv)波(bo)器(qi)(qi)電(dian)路網絡中，電(dian)感L看作高阻(zu)元件(jian)，電(dian)容C看作低(di)阻(zu)元件(jian)。為(wei)(wei)了達到濾(lv)波(bo)更好的(de)(de)效果(guo)，按(an)照濾(lv)波(bo)器(qi)(qi)的(de)(de)不(bu)匹配(pei)(pei)原則(ze)(ze)：如果(guo)實(shi)際負(fu)載(zai)為(wei)(wei)感性(xing)高阻(zu)，則(ze)(ze)選擇(ze)(ze)輸(shu)出負(fu)載(zai)為(wei)(wei)容性(xing)低(di)阻(zu)的(de)(de)濾(lv)波(bo)器(qi)(qi)；如果(guo)實(shi)際負(fu)載(zai)為(wei)(wei)容性(xing)低(di)阻(zu)，則(ze)(ze)選擇(ze)(ze)輸(shu)出負(fu)載(zai)為(wei)(wei)感性(xing)高阻(zu)的(de)(de)濾(lv)波(bo)器(qi)(qi)。同樣，對于濾(lv)波(bo)器(qi)(qi)的(de)(de)輸(shu)入阻(zu)抗(kang)和電(dian)網源(yuan)阻(zu)抗(kang)，也(ye)應該按(an)照阻(zu)抗(kang)失配(pei)(pei)原則(ze)(ze)來選擇(ze)(ze)濾(lv)波(bo)器(qi)(qi)。

由式1.4可(ke)知，Zo與(yu)Rl相差越大，ρ就(jiu)越大，端(duan)口(kou)產生的(de)(de)(de)反射(she)也就(jiu)越大。對(dui)被控制(zhi)(zhi)的(de)(de)(de)干擾信(xin)(xin)號，當EMI濾(lv)(lv)波(bo)器(qi)(qi)兩端(duan)阻(zu)抗都處于失配狀態時，EMI信(xin)(xin)號會(hui)在它的(de)(de)(de)輸入(ru)和輸出端(duan)口(kou)產生很強的(de)(de)(de)反射(she)。這(zhe)樣一來，濾(lv)(lv)波(bo)器(qi)(qi)對(dui)EMI信(xin)(xin)號的(de)(de)(de)衰減，等(deng)于濾(lv)(lv)波(bo)器(qi)(qi)的(de)(de)(de)固有插入(ru)損耗加(jia)上反射(she)損耗。在EMI濾(lv)(lv)波(bo)器(qi)(qi)的(de)(de)(de)實際(ji)使用中，可(ke)用阻(zu)抗失配來實現對(dui)EMI信(xin)(xin)號更加(jia)有效抑(yi)制(zhi)(zhi)。這(zhe)就(jiu)是為什(shen)么選用EMI濾(lv)(lv)波(bo)器(qi)(qi)時，一定要仔細分析其端(duan)口(kou)阻(zu)抗的(de)(de)(de)正確(que)搭配，使產生盡可(ke)能大的(de)(de)(de)反射(she)，達到對(dui)EMI信(xin)(xin)號的(de)(de)(de)有效控制(zhi)(zhi)的(de)(de)(de)原因(yin)。

EMI濾(lv)波(bo)器對EMI信號的(de)抑制(zhi)能力不(bu)僅(jin)取決(jue)于(yu)濾(lv)波(bo)器在50Ω系統內測得的(de)插入損耗(hao)，還取決(jue)于(yu)濾(lv)波(bo)網(wang)(wang)絡(luo)與(yu)EMI信號源和(he)負載的(de)正確端(duan)(duan)接。所以，在選用濾(lv)波(bo)器時，要特別注意EMI濾(lv)波(bo)器上(shang)標牌內容，看其是否準確標出(chu)濾(lv)波(bo)網(wang)(wang)絡(luo)的(de)參(can)數和(he)網(wang)(wang)絡(luo)結構(gou)。顯然，那種既不(bu)提供(gong)網(wang)(wang)絡(luo)參(can)數，又沒(mei)有給出(chu)網(wang)(wang)絡(luo)結構(gou)的(de)EMI濾(lv)波(bo)器，給正確端(duan)(duan)接和(he)優(you)化(hua)應用帶來了麻煩。

另外(wai)，有的(de)(de)(de)EMI濾(lv)波(bo)器標(biao)牌(pai)標(biao)明(ming)電(dian)源和負載端(duan)接，這可能(neng)是(shi)為了某特定電(dian)子設備所設置(zhi)，沒有普遍(bian)意義(yi)，多也只能(neng)是(shi)制(zhi)造廠商的(de)(de)(de)建議端(duan)接方(fang)法之一。應用EMI濾(lv)波(bo)器，要具體分析(xi)EMI濾(lv)波(bo)器的(de)(de)(de)網絡結構和接入電(dian)路的(de)(de)(de)等效阻抗(kang)，按照以上(shang)阻抗(kang)搭配原則進行端(duan)接才(cai)能(neng)正確達到(dao)預期目(mu)的(de)(de)(de)。

從上述我(wo)們了解(jie)到，在選購的(de)(de)(de)同時(shi)我(wo)們須知額定電(dian)(dian)壓、額定電(dian)(dian)流、插入損(sun)耗等(deng)相關方面(mian)。現今的(de)(de)(de)電(dian)(dian)子產(chan)品都以符合(he)小(xiao)型化、高(gao)(gao)性能、高(gao)(gao)精(jing)度(du)、高(gao)(gao)信賴度(du)、及高(gao)(gao)反(fan)應度(du)等(deng)為(wei)目標，使得電(dian)(dian)路組件的(de)(de)(de)分布密度(du)過高(gao)(gao)、電(dian)(dian)路的(de)(de)(de)體(ti)積大大的(de)(de)(de)縮小(xiao)，然而(er)電(dian)(dian)路便得越精(jing)巧，則會有更多的(de)(de)(de)組件擠在很小(xiao)的(de)(de)(de)空間當中，增加了干(gan)擾的(de)(de)(de)機(ji)會，其中以電(dian)(dian)磁干(gan)擾及噪聲令人感到困(kun)擾。電(dian)(dian)源濾波器的(de)(de)(de)出現就解(jie)決了這個困(kun)擾。